利用p-n结的电容随外加电压的变化规律，可以非破坏性地测
	定突变结轻掺杂一侧的杂质浓度，或线性缓变结杂质浓度梯度，
	还可以确定p-n结接触电势差。一般说来，在反向偏压或小的正向
	偏压下，p-n结以势垒电容为主，只有在大的正向偏压时才以扩散
	电容为主。本实验仅限研究反向偏压时p-n结的电容变化规律，故
	只研究势垒电容随反向偏压的变化。该实验为精确测定曲
	线，采用锁相放大器作为检测仪器，克服了线路中各种交流噪声
	的影响。