半导体由于吸收光而产生
的光生载流子，使半导体的电
导率增大所引起的电导率称为
光电导。光电导具有一光谱分
布。当入射光的波长由短波逐
渐增加，样品的光电导也逐渐
增加，但在达到一最大值后，
光电导又随波长的增加而很快
下降。通常认为在长波长方向
光电导下降到最大值的一半所
对应的波长为本征光电导的长
波限λ0。本实验就是通过测绘
本征半导体光电导随波长变化
的曲线来确定λ0。由此得到直
接带隙半导体的禁带宽度Eg。