近年来，电场调控磁性电子器件因具有低功耗等优势而备受瞩目。基于应变为媒介的铁磁/铁电多铁异质结构，理论研究者提出了一系列电场调控磁性电子器件的设想，包括在无需外加磁场辅助下，利用应力调控磁性隧道结的特性，但相应的实验工作未见报道。我们和物理所韩秀峰研究员研究组合作开展了相关的研究。我们在(011)取向的Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.7Ti_0.3O₃（PMN-PT）上制备了CoFeB/AlO_x/CoFeB磁性隧道结，研究表明，在外加电场的作用下，PMN-PT产生各向异性应变并传递给磁性层，引起磁性层磁各向异性变化，从而实现了电场对CoFeB磁各向异性的调控——易轴产生90°旋转，受此影响，隧道结磁性自由层和钉扎层磁矩相对取向发生改变，从而可实现电场对磁性隧道结磁电阻的室温调控，其调控量可达15 %。此外，利用LLG方程，我们对电场诱发磁性旋转的过程及其响应时间进行了模拟，结果表明电场调控磁性的响应时间小于10 ns。这些研究对电场调控TMR在自旋电子器件中的应用具有参考价值。相关结果发表在Advanced Materials上（P. S. Li et al., Advanced Materials, 46, 2340 (2014)）。本工作得到了科技部973项目及国家自然科学基金的资助。